| Анализ пропускной способности многобанковой памяти в системе на кристалле |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Воронов А.В. |
| | Воронов Р.В. |
| | Ильясов Р.Ф. |
| Год публикации |
| | 2021 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2021-4-99-105 |
| УДК |
| | 004.021 |
|
| Аннотация |
| | современные системы на кристалле используют многопортовую память. Одной из ее реализаций является многобанковая память, которая увеличивает пропускную способности при малых затратах логических элементов по сравнению с другими вариантами. Целью исследования является анализ задержки транзакций, при различных количествах портов и банков. В ходе работы были рассмотрены основные элементы, входящие в состав многобанковой памяти, варианты ее ускорения, а также другие способы реализации многопортовой памяти. После этого было проведено измерение задержек по предложенным тестам. В заключении было выявлено рекомендуемое количество банков по отношению к количеству портов. |
| Ключевые слова |
| | многопортовая память, многобанковая память, арбитраж памяти, valid/ready интерфейс. |
| Ссылка на статью |
| | Воронов А.В., Воронов Р.В., Ильясов Р.Ф. Анализ пропускной способности многобанковой памяти в системе на кристалле // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 4. С. 99-105. doi:10.31114/2078-7707-2021-4-99-105 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D077.pdf |
