Поляризация полупроводниковых сенсоров ионизирующего излучения на основе алмазных материалов |
|
|
|
|
Авторы |
| Сигов А.С. |
| Алтухов А.А. |
| Зяблюк К.Н. |
Год публикации |
| 2021 |
DOI |
| 10.31114/2078-7707-2021-3-140-145 |
УДК |
| 539.1.074.5; 679.826 |
|
Аннотация |
| Исследуется процесс поляризации сенсоров ионизирующих излучений на основе монокристаллического CVD алмаза при воздействии больших доз альфа-излучения c энергией 5.5 МэВ в диапазоне напряжений смещения от 0.4 до 1 В/мкм. При положительном напряжении смещения (дырочный дрейф) доза облучения, приводящая к 50% снижению эффективности сбора заряда в области альфа-пика меняется в диапазоне от 1.7×104 альфа/мм2 при смещении 0.4 В/мкм до 1.2×106 альфа/мм2 при 1 В/мкм. При отрицательном напряжении смещения (электронный дрейф) поляризация сенсора не наблюдается. Для сравнения приводятся результаты исследований работы сенсора ионизирующих излучений на основе поликристаллического CVD алмаза в аналогичных условиях. |
Ключевые слова |
| сенсор, ионизирующие излучение, алмаз, поляризация, эффективность сбора заряда. |
Ссылка на статью |
| Сигов А.С., Алтухов А.А., Зяблюк К.Н. Поляризация полупроводниковых сенсоров ионизирующего излучения на основе алмазных материалов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 3. С. 140-145. doi:10.31114/2078-7707-2021-3-140-145 |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D071.pdf |