| Перспективы использования SiGe БиКМОП технологии для создания СВЧ микросхем |
|
|
| Авторы |
| | Малышев И.В. |
| | Ионов П.Л. |
| | Репин В.В. |
| Год публикации |
| | 2006 |
| УДК |
| | 621.38 |
|
| Аннотация |
| | В докладе приведен краткий обзор развития нового технологического процесса – БиКМОП технологии с использованием SiGe. Рассмотрены основные положения и физические эффекты, используемые при введении SiGe в стандартный БиКМОП процесс, преимущества новой технологии, возможные области применения, а также перспективы развития этой технологии. Приведены некоторые геометрические и электрические параметры типовых элементов. |
| Ключевые слова |
| | SiGe БиКМОП технологии, СВЧ микросхемы |
| Ссылка на статью |
| | Малышев И.В., Ионов П.Л., Репин В.В. Перспективы использования SiGe БиКМОП технологии для создания СВЧ микросхем // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем - 2006. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л.Стемпковского. М.:ИППМ РАН, 2006. С. 191-193. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2006/34.pdf |
