| Si/Ge pin фотодиод с множественными квантовыми ямами |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Кулинич И.В. |
| | Таловская А.А. |
| | Шестериков Е.В. |
| Год публикации |
| | 2021 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2021-3-171-174 |
| УДК |
| | 621.375.9 |
|
| Аннотация |
| | В работе приведены расчеты темнового тока, фототока и быстродействия pin фотодиода с квантовыми структурами на основе Si с Si/Ge гетероструктурой. Полученные результаты позволили провести анализ и сформулировать рекомендации по выбору конструкции Si pin фотодиода для различных сфер применения на длине волны 1,55 мкм |
| Ключевые слова |
| | pin фотодиод, квантовые структуры, гетероструктура. |
| Ссылка на статью |
| | Кулинич И.В., Таловская А.А., Шестериков Е.В. Si/Ge pin фотодиод с множественными квантовыми ямами // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 3. С. 171-174. doi:10.31114/2078-7707-2021-3-171-174 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D045.pdf |
