Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

Двухкаскадный экранированный модальный фильтр для работы в дифференциальном и синфазном режимах
Авторы
	Костелецкий В.П.
	Заболоцкий А.М.
	Лакоза А.М.
Год публикации
	2021
DOI
	10.31114/2078-7707-2021-4-127-133
УДК
	621.391.825
Аннотация
	В статье представлены результаты исследования временных и частотных характеристик экранированного модального фильтра (МФ) для защиты от сверхкоротких импульсов в дифференциальном и синфазном режимах. Показано влияние каскадирования МФ. Приведены матрицы коэффициентов электростатической и электромагнитной индукций, характеристического импеданса и вектор погонных задержек. Использовано тестовое воздействие с амплитудой 250 мВ и длительностью 300 пс по уровню 0,5. В ходе моделирования однокаскадного экранированного МФ амплитуда импульсов на выходе МФ составила 82 мВ в дифференциальном и 74 мВ в синфазном режимах, что соответствует вносимым потерям 9,7 дБ и 10,6 дБ соответственно. Частота среза 190 МГц в дифференциальном и 181 МГц в синфазном режимах. При моделировании двухкаскадного экранированного МФ амплитуда импульсов на выходе МФ составила 31 мВ в дифференциальном и 23 мВ в синфазном режимах, что соответствует вносимым потерям 18,1 дБ и 20,7 дБ соответственно. Частота среза 130 МГц в дифференциальном и 121 МГц в синфазном режимах. В ходе экспериментального исследования двухкаскадного экранированного МФ амплитуда импульсов на выходе МФ составила 32 мВ в дифференциальном и 16 мВ в синфазном режимах, что соответствует вносимым потерям 17,8 дБ и 23,9 дБ соответственно. Частота среза 98 МГц в дифференциальном и 127 МГц в синфазном режимах.
Ключевые слова
	электромагнитная совместимость, сверхкороткий импульс, синфазный режим, дифференциальный режим, модальный фильтр, кондуктивные помехи.
Ссылка на статью
	Костелецкий В.П., Заболоцкий А.М., Лакоза А.М. Двухкаскадный экранированный модальный фильтр для работы в дифференциальном и синфазном режимах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 4. С. 127-133. doi:10.31114/2078-7707-2021-4-127-133
Адрес статьи
	http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D043.pdf