| Арсенид-галлиевый аналоговый базовый кристалл |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Дворников О.В. |
| | Павлючик А.А. |
| | Прокопенко Н.Н. |
| | Чеховский В.А. |
| | Кунц А.В. |
| | Чумаков В.Е. |
| Год публикации |
| | 2021 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2021-2-47-54 |
| УДК |
| | 621.382.323 |
|
| Аннотация |
| | Представлен арсенид-галлиевый базовый кристалл, предназначенный для создания аналоговых микросхем, работающих в экстремальных условиях эксплуатации. Рассмотрены особенности вольтамперных характеристик применяемых в базовом кристалле DpHEMT и p-n-p-транзисторов с гетеропереходом. Приведены электрические схемы и основные результаты моделирования аналоговых устройств, реализуемых на базовом кристалле: трех типов операционных усилителей и зарядочувствительного усилителя |
| Ключевые слова |
| | биполярный транзистор с гетеропереходом, транзистор с высокой подвижностью электронов, арсенид галлия, операционный усилитель, зарядочувствительный усилитель. |
| Ссылка на статью |
| | Дворников О.В., Павлючик А.А., Прокопенко Н.Н., Чеховский В.А., Кунц А.В., Чумаков В.Е. Арсенид-галлиевый аналоговый базовый кристалл // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 2. С. 47-54. doi:10.31114/2078-7707-2021-2-47-54 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D021.pdf |
