| Математическая модель элемента SOT-MRAM на основе спинового эффекта Холла |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Островская Н.В. |
| | Скиданов В.А. |
| | Юсипова Ю.А. |
| Год публикации |
| | 2021 |
| DOI |
| | 10.31114/2078-7707-2021-2-2-8 |
| УДК |
| | 538.995+51.74 |
|
| Аннотация |
| | В работе рассмотрена модель элемента магнитной памяти SOT-MRAM с продольной анизотропией свободного слоя. Построена динамическая система, описывающая динамику намагниченности в свободном слое данного элемента. Проведен ее качественный анализ. |
| Ключевые слова |
| | В работе рассмотрена модель элемента магнитной памяти SOT-MRAM с продольной анизотропией свободного слоя. Построена динамическая система, описывающая динамику намагниченности в свободном слое данного элемента. Проведен ее качественный анализ. |
| Ссылка на статью |
| | Островская Н.В., Скиданов В.А., Юсипова Ю.А. Математическая модель элемента SOT-MRAM на основе спинового эффекта Холла // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. Выпуск 2. С. 2-8. doi:10.31114/2078-7707-2021-2-2-8 |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2021/pdf/D009.pdf |
