| Исследования высоковольтных комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом в диапазоне температур с помощью методов приборно-технологического моделирования |
|
 |
|
|
| Авторы |
| | Дроздов Д.Г. |
| | Прокопенко Н.Н. |
| | Савченко Е.М. |
| | Дюканов П.А. |
| | Грушин А.И. |
| Год публикации |
| | 2020 |
| УДК |
| | 621.382.32 |
|
| Аннотация |
| | В статье приведены результаты моделирования основных электрических параметров высоковольтных комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом (СJFET) в широком диапазоне температур. Описаны основные модели и методы, необходимые для расчёта транзисторов при уменьшении температуры до 50 K. На основе полученных данных предложены методы снижения влияния сверхнизких температур на параметры CJFET, определен температурный диапазон работы различных конструктивных вариантов комплементарных полевых транзисторов. |
| Ключевые слова |
| | комплементарные JFET, система приборно-технологического моделирования, криогенные температуры. |
| Ссылка на статью |
| | Дроздов Д.Г., Прокопенко Н.Н., Савченко Е.М., Дюканов П.А., Грушин А.И. Исследования высоковольтных комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом в диапазоне температур с помощью методов приборно-технологического моделирования // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 4. С. 66-75. |
| Адрес статьи |
| | http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D071.pdf |
