Главная         Авторы   Статьи   Год проведения   Тематика   Организации        Конференция МЭС

TCAD и SPICE-модели для описания радиационных эффектов в наноразмерных МОП-транзисторных структурах  

Авторы
 Петросянц К.О.
 Попов Д.А.
 Исмаил-заде М.Р.
 Самбурский Л.М.
 Ли Б.
 Ючонг В.
Год публикации
 2020
DOI
 10.31114/2078-7707-2020-4-2-8
УДК
 004

Аннотация
 Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high k диэлектриком с учётом дозовых эффектов.
Ключевые слова
 45 нм МОПТ; 28 нм МОПТ; DSOI; TCAD; SPICE; поглощенная доза; одиночные сбои.
Ссылка на статью
 Петросянц К.О., Попов Д.А., Исмаил-заде М.Р., Самбурский Л.М., Ли Б., Ючонг В. TCAD и SPICE-модели для описания радиационных эффектов в наноразмерных МОП-транзисторных структурах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 4. С. 2-8. doi:10.31114/2078-7707-2020-4-2-8
Адрес статьи
 http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D122.pdf

Copyright © 2009-2024 ИППМ РАН. All Rights Reserved.

Разработка сайта - ИППМ РАН