Сравнительный анализ энергоэффективности библиотек по технологии FinFET 7 нм |
|
|
|
|
Авторы |
| Ильин С.А. |
| Коршунов А.В. |
| Гарбулина Т.В. |
Год публикации |
| 2020 |
DOI |
| 10.31114/2078-7707-2020-4-169-173 |
УДК |
| 621.3.049.771.14 |
|
Аннотация |
| Быстрое развитие технологии FinFET в последние годы привело к изменениям в процессе цифрового проектирования на всех этапах маршрута. Квантование ширины канала транзистора привело к изменениям в схемотехнике и топологии цифровых стандартных ячеек. Прогресс в снижении энергопотребления высокопроизводительных СБИС привел к необходимости разработки новых методов автоматизированного проектирования автономных (самопитаемых) схем. Главной задачей при разработке таких схем становится поиск компромисса между энергопотреблением и производительностью. В статье выполнен сравнительный анализ изменения производительности и энергопотребления при снижении напряжения питания на примере технологии FinFET с топологическими нормами 7 нм. |
Ключевые слова |
| FinFET, энергоэффективность, библиотеки стандартных ячеек, динамическая мощность, утечка. |
Ссылка на статью |
| Ильин С.А., Коршунов А.В., Гарбулина Т.В. Сравнительный анализ энергоэффективности библиотек по технологии FinFET 7 нм // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2020. Выпуск 4. С. 169-173. doi:10.31114/2078-7707-2020-4-169-173 |
Адрес статьи |
| http://www.mes-conference.ru/data/year2020/pdf/D085.pdf |